Transistor 2N7000 Mosfet

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  Transistor 2N7000 Mosfet

  Transistor MOSFET 2N7000 de baja potencia, canal N.

  Fabricante: On Semiconductor

  • MOSFET canal N modo mejorado
  • VDS = 60 V, ID = 200 mA, PW = 400 mW
  • Resistencia en conducción RDS = 1.8 Ω típica
  • Conmutación rápida
  • Corriente de saturación alta
  • Encapsulado: TO-92

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